Излучательные характеристики p-n перехода
Краткое описание работы
При рекомбинации в полупроводнике неравновесных электронно-дырочных пар, часть энергии может излучиться в виде квантов света. Такой процесс называется излучательной рекомбинацией — люминесценцией. Один из наиболее удобных способов возбуждения полупроводника — пропускание прямого тока через p-n-переход, т. е. инжекция неосновных носителей. Излучательная рекомбинация, возбуждаемая прямым током через p-n-переход, называется инжекционной электролюминесценцией. При этом в полупроводниковых диодах происходит прямое преобразование энергии электрического тока в энергию света.
Лабораторная работа посвящена экспериментальному исследованию излучательных характеристик светодиодов из GaAs и GaAs1-xPx.
Список оборудования
- Лабораторный стабилизированный источник питания с высокой стабильностью выходных величин ТЕС-41
- Цифровой вольтметр В7-38
- монохроматор МДР-23, выполненный по асимметричной схеме Фасти со сферическими зеркальными объективами
- Синхродетектор Unipan 232B
- фотоэлектронный умножитель ФЭУ-100 (диапазон чувствительности 200 — 800 нм)
- фотоэлектронный умножитель ФЭУ-62 (диапазон чувствительности 650 — 1200 нм)
- Светодиоды АЛ307А, АЛ107А
Фото оборудования
Учебно-методическое пособие
Электрические, магнитные и оптические измерения твердых тел, с.75-94.
