УНЭ «Самоформирование наноостровков (квантовых точек) SiGe на подложках Si(001)»
Руководитель
Дмитрий Николаевич Лобанов (к.102)
Учебно-методическое пособие
Метод молекулярно-пучковой эпитаксии и его применение для формирования SiGe наноструктур (910 Kбайт)
Краткое описание работы
Учебно-научный эксперимент посвящён ознакомлению на примере гетеропары германий — кремний с физическими и технологическими основами метода молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наноструктур. В настоящее время на основе полупроводниковых гетероструктур создаются разного рода низкоразмерные системы (квантовые ямы, нити и точки), в которых наряду с изменением физических свойств объектов возникают новые физические эффекты, связанные с пространственным ограничением движения носителей заряда. На основе гетероструктур были созданы и теперь уже являются коммерчески доступными такие новые приборы как быстродействующие гетеробиполярные транзисторы (HBT) и полевые транзисторы на основе селективно легированных структур (MODFET) c улучшенными шумовыми характеристиками, резонансно-туннельные диоды повышенной мощности и лучшими усиливающими характеристиками, а также гетеролазеры с низкими пороговыми токами и большими значениями коэффициента усиления и высокой температурной стабильностью.
Список оборудования
- Высоковакуумная 3-х камерная (камеры: шлюзовая, загрузочная, ростовая) установка молекулярно-пучковой эпитаксии «BALZERS» UMS-500P.
- Манипулятор подложек в ростовой камере SH100-2 производства фирмы Dr. Eberl MBE-Komponenten GmbH
- Блок электронно-лучевых испарителей (6 и 11 кВ) производства «BALZERS».
- Квадрупольный масс-спектрометр BALZERS QMG 420.
- Инфракрасный пирометр IS 12 производства IMPAC Infrared GmbH.
- Откачная система камер роста и загрузочной на базе турбомолекулярных (TMH 520 и TMU 261) и форвакуумных насосов производства Pfeiffer.
- Программа управления ростовым процессом, разработанная в ИФМ РАН.
Фото оборудования
