Приёмные элементы субтерагерцового диапазона частот на основе технологии GaN
Руководитель
Характер работы
Экспериментальный.
Описание
Открытие новых материалов даёт возможность создавать полупроводниковые приборы с улучшенными характеристиками. Материалы на основе твёрдых растворов (Al,Ga,In)N находят широкое применение в оптической, силовой и сверхвысокочастотной электронике.
В данной работе исследуются вопросы создания высокочуствительных приёмных элементов субтерагерцового диапазона частот (100 — 300 ГГц) на основе технологии GaN. Разрабатываемые приёмные элементы могут быть использованы в современных системах радиолокации, радиовидения и других системах, требующих регистрации слабого субтерагерцового излучения
Контакты
ИФМ РАН к. 255, pesh@ipmras.ru
