Михаил Александрович Фадеев

Научный сотрудник лаборатории основ наноэлектронной компонентной базы информационных технологий (181)

Персональные данные

Родился 19 ноября 1993 г.

Научные интересы

Терагерцовая спектоскопия двумерных полупроводниковых систем; мелкие примеси; квантовые каскадные лазеры; приемники и источники терагерцового излучения; коллективные и спин-зависимые явления в квантовых ямах на основе узкозонных и бесщелевых полупроводников

Образование

• 2010 — закончил лицей № 40 Нижнего Новгорода
• 2010-2016 — студент факультета ВШОПФ Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ)
• 2016-2020 — аспирант ИФМ РАН

Профессиональная карьера

• 2014-2016 — старший лаборант ИФМ РАН, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
• 2016-2020 — младший научный сотрудник ИФМ РАН
• 2020-н.вр. — научный сотрудник ИФМ РАН

Избранные публикации

1. Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μm / S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, M. S. Zholudev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and V. I. Gavrilenko, Applied Physics Letters 111 (19), 192101 (2017)
2. HgCdTe-based heterostructures for Terahertz photonics / S. Ruffenach, A. Kadykov, V. V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winner, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, and F. Teppe, APL Materials.5 (3), 035503 (2017)
3. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe / В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Физика и техника полупроводников. 52 (11), 1263-1267 (2018)
4. Stimulated emission in the 2.8-3.5 μm wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures / M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, A. V. Antonov, K. E. Kudryavtsev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, and S. V. Morozov. Optics Express 26 (10), 12755-12760 (2018)
5. Magnetooptical Studies and Stimulated Emission in Narrow Gap HgTe/CdHgTe Structures in the Very Long Wavelength Infrared Range / V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov and V. I. Gavrilenko, Semiconductors 52 (4), 436 — 441 (2018)
6. Experimental Observation of Temperature-Driven Topological Phase Transition in HgTe/CdHgTe Quantum Wells. / M. S. Zholudev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, W, Knap, J. Torres, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A Dvoretskii and F. Teppe, Condensed Matter, 4 (1), 27 (2019)
7. Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well / S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, M. Marcinkiewicz, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, E. Tournié, and F. Teppe, Physical Review B 97 (24), 245419 (2018)

Контактная информация